LED防爆燈失效的幾個主要表現(xiàn) 1.不亮：這種失效是指LED通電后*不發(fā)光。一般而言，導(dǎo)電路徑上的”斷路(open)＂是本類失效的主因之一，確認(rèn)斷路的方法也十分簡易，以常見的三用電表就可驗證。不過，要找到斷路點就必須做進(jìn)一步的解析，例如：可用X-ray來確認(rèn)打線是否斷線或脫離、用SEM(掃瞄式電子顯微鏡)觀察剖面結(jié)構(gòu)可檢查黏晶部份的缺陷等等。本類失效的第二個主因是”短路(short)”，這是因為電流未確實通過LEDchip，而是流經(jīng)”旁門左道”，故LED燈粒自然不會發(fā)光，如：因發(fā)生電子遷移導(dǎo)致電極金屬原子的不正常擴(kuò)散，譬如氧化銦錫(ITO)、銀或是GaN/InGaN二極管中的阻擋層金屬等都可能因機械應(yīng)力、高電流密度或在腐蝕性的環(huán)境發(fā)生此類異狀。其它的原因可能是打線偏移、黏晶膠爬膠等等。這種失效必須利用I-Vcurve(電流-電壓圖)才能判定，至于失效點因為從外觀無法檢查到上述缺陷，故需先以X-ray來確認(rèn)；或是化學(xué)溶液去除LED封裝材料后，再使用光學(xué)(OM)或電子顯微鏡(SEM)仔細(xì)檢查。
2.變色：這類失效是指LED不點亮的狀況下，外觀顏色或膠材透明度與新品不同，用肉眼即可看出，通常在產(chǎn)品使用一段時間或在做完可靠度試驗后發(fā)生。一般說來，變色區(qū)域大致可區(qū)分為發(fā)生在導(dǎo)線架或封裝膠材兩類，若發(fā)生在導(dǎo)線架，通常是因為表面與環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，如氧化或硫化，要分辨屬于哪種需仰賴成份分析，可使用的儀器包含有EDS、XPS、AES等等。若是封裝用的膠材發(fā)生變色，則屬于高分子材料的劣化現(xiàn)象，如環(huán)氧樹脂易受高溫或是紫外光影響而變黃，因此白光LED多改采矽膠取代之。分析此類失效應(yīng)特別留意，因膠材本身有一定的透明度，有時變色的導(dǎo)線架因被膠材蓋住而誤判為膠材變色，引導(dǎo)至錯誤的改善方向。
3.光衰：這種失效系指LED發(fā)出的光強度低于新品。光衰程度已成為評判LED照明產(chǎn)品壽命的重要指標(biāo)，所以這類失效的分析就相當(dāng)重要。整體來說，本類失效的分析非常復(fù)雜，因為影響光強度的因素非常多，如chip劣化、反射杯的劣化、膠材與chip間脫層、膠材透明度下降、打線接合面電阻上升、熱阻太高等等，若發(fā)生在白光LED，則還需考慮螢光粉劣化的問題，因白光LED通常使用一或多種的螢光粉，它們會受到熱或濕氣的影響而衰減并降低效率，導(dǎo)致產(chǎn)出的光色改變。分析的手法包括有：非破壞檢測，如外觀檢查、LED電性曲線、積分球的光學(xué)特性等等，用上述數(shù)據(jù)綜合判斷，逐一排除，當(dāng)推斷可能原因后，接著進(jìn)行破壞性分析，利用樣品制備技術(shù)制作出適合的分析樣品，再輔以各種儀器如SAT超音波掃瞄、FTIR傅立葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀、TEM穿透式電子顯微鏡、SEM等等加以驗證，方能到真因。
4.ESD失效：這是一種靜電放電所引起的chip破壞，在MOSIC的產(chǎn)品中非常重視此現(xiàn)象，對LED而言，過往因砷化鎵(GaAs)芯片本身可導(dǎo)電，故這類問題并不常見，但因白光LED使用不導(dǎo)電的藍(lán)寶石基板，而且基板與GaN等材料間因晶格不匹配會形成內(nèi)部缺陷(如差排)，對ESD的損害更為敏感。靜電的放電可能產(chǎn)生半導(dǎo)體接合點（junction）立即的失效或特性漂移及潛在的損壞都會導(dǎo)致衰減的速率增加。有幾種現(xiàn)象可用來幫助判斷chip是否遭受靜電破壞，譬如反向偏壓漏電流大增、chip僅局部發(fā)光、chip表面出現(xiàn)局部熔融點等等。有時，一開始的靜電破壞的程度不高，LED的電特性、發(fā)光特性、chip表面完整性皆無異狀，但這種破壞會因累積而逐漸明顯，有時卻也可能安然度過整個產(chǎn)品生命周期，一旦生產(chǎn)線未做好靜電防護(hù)措施時，所生產(chǎn)的產(chǎn)品的客退率將會忽高忽低，面對這種現(xiàn)象，失效分析也未必可尋得真因，因此做好生產(chǎn)線靜電防護(hù)措施才是較好的解決之道。
5.其他：突然間的失效常常是因為熱應(yīng)力所致，當(dāng)環(huán)氧樹脂的封裝達(dá)到玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)時，樹脂會很快速的膨脹，在半導(dǎo)體和焊點接觸的位置產(chǎn)生機械應(yīng)力來弱化或扯斷它，而在非常低的溫度時則會讓封裝產(chǎn)生裂痕。此外，高功率LED對電流的擁擠敏感，不均勻的電流密度分布在接合點上，可能會產(chǎn)生局部的熱點，存在熱燒毀的風(fēng)險，若再出現(xiàn)基板的熱傳不均勻，將使問題變得更嚴(yán)重，這常見于銲接材料的孔洞或是電子遷移效應(yīng)和Kirkendall空洞，故熱燒毀亦是LED常見的失效模式。
